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更新时间: 2023-10-26
K9K8G08UOM是采用NAND技术的1 GB大容量、高可靠、非易失性Flash存储器，具有高密度、高性能特点。其无效块定义为包含有一个或更多无效字节，且其可靠性不能被保证，则无效块中的信息称为无效块信息。和所有的有效块一样，它具有相同的AC和DC参数，一个无效块不会影响有效块的运行，因为它有相应独立的指令资源依靠选择晶体管，该系统设计必须通过地址掩盖其无效块。第l块(地址是OOh)为了保证是有效块，不要求纠错l K编程／擦除周期。
除了先装载好的无效块信息，所有器件的存储单元都被擦除，无效块状态定义在空余区域的第1个字节。在每块第1页2 048字节的列地址中没有FFh。很多情况下，无效块信息也是能擦除的，一旦擦除，它不可能恢复其原有信息。因此，系统必须在原来无效块的信息基础上认识无效块。该系统设计就是通过读每块的第1页判定该块是否为无效块。
依据该Flash器件数据资料中各个引脚的功能，设计Flash的电路连接，图3只给出K9K8G08UOM部分所用引脚，电路中Flash的控制端经电平转换器后与单片机的Pl端口相连，而I／O端口经电平转换器与单片机的P0端口相连。
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