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更新时间: 2023-10-26

数据存储器

    与程序存储器类似，数据存储器可以位于微控制器内部，或者是外部器件，但这两种情况存在一些差别。有时微控制器内部包含SRAM(易失性)和EEPROM(非易失)两种数据存储器，但有时不包含内部EEPROM，在这种情况下，当需要存储大量数据时，设计工程师可以选择外部的串行EEPROM或串行闪存器件。当然，也可以使用并行EEPROM或闪存，但通常它们只被用作程序存储器。

    当需要外部高速数据存储器时，通常选择并行SRAM并使用外部串行EEPROM器件来满足

    对非易失性存储器的要求。一些设计还将闪存器件用作程序存储器，但保留一个扇区作为数据存储区。这种方法可以降低成本、空间并提供非易失性数据存储器。

    针对非易失性存储器要求，串行EEPROM器件支持I2C、SPI或微线(Microwire)通讯总线，而串行闪存通常使用SPI总线。由于写入速度很快且带有I2C和SPI串行接口，FRAM在一些系统中得到应用。

7077 HUMPHREY 8 VALVES MANIFOLD W/ H030-4E1-PSL VALVES HYM8F01

9081 QUANTACHROME MONOSORB SURFACE AREA ANALYZER MS-21

22323 MKS HTR2.0, EL90LR, 239020, 1B**, WCSH-0120-0000  4620-1066

13146 APPLIED MATERIALS P-CHUCK LIFT, PRECISION 5000, 0040-09270 0010-30029

15962 APPLIED MATERIALS OUTSOURCED, ASSY, POWER MODULE,  0010-06286

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1316 EDWARDS ACTIVE PIRANI GAUGE P/N: D02171000 APG-M-NW16

14646 NUMATICS SOLENOID MANF VLV WITH SOLENOID CABLE 031SS4154000061