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更新时间: 2023-10-31

编程处理还对隔离层具有破坏性，因此这类器件的擦写次数很有限，一般在10万次到100万次之间。就乘客传感器而言，数据更新的次数即使是对上限100万次来说也太频繁了。对于一般的每秒一次的写入速度要求，浮栅器件使用不到12天中就会达到使用寿命。若是把数据缓冲到RAM中，在断电时再写入到浮栅非易失性存储器中，又会在EDR中产生写入速度问题，因此并非真正有效的解决方案。

　　在智能安全气囊系统中，不仅必需存储碰撞事故中的数据，还需要存储事故发生前的数据。利用滚动日志来存储碰撞前的数据是很理想的方法，但对浮栅存储器件而言，这种解决方案已证实存在问题，因为它们的擦写次数有限。由于安全气囊模块具有很大的电容，以便存储足够的能量来激活安全气囊，故在事故发生之后可能有足够的残余电量把缓冲器中的数据写入到非易失性存储器中。能够写入的数据量取决于尚可用的电量，也即电容中的残余能量和存储器的写入速度。典型2K byte浮栅存储器的写入速度可以达到约每5us 写入4 字节。故而，要写入整个浮栅存储器可能需要1秒多的时间。

　　FRAM能够提供极高的擦写次数和速度，有效解决了上述问题。Ramtron的 FRAM技术把铁电材料和标准半导体芯片设计及制造技术结合在一起，推出了非易失性存储器和模拟/混合信号产品。这些产品具有快速读/写性能、几乎无限的擦写次数和静态RAM (SRAM) 的超低功耗，并在掉电时能够安全存储数据，这些都是标准RAM技术所无法提供的功能。

　　FRAM单元采用业界标准CMOS工艺制造，通过两个电极板之间的铁电晶体来形成电容，类似于DRAM电容的构造。但是不像一般的易失性存储器那样把数据作为电容上的电荷来存储，FRAM是把数据存储在铁电晶体内。