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更新时间: 2023-11-01
1．2 NAND flash结构
不同厂商不同型号的flash的结构都大同小异，图l所示是三星K9G8G08UOA型号的flash结构图，图l中的1个flash芯片包含4096个物理块(block)，每个物理块含有128个页(page)，每个页包含2112(2048+64)字节其中多出的64字节用于存放纠错码及其他信息用。
1．3 NAND flash的特点
Flash可支持读(Read)操作、写(Program)操作和擦除(Erase)操作。其中读操作和写操作的基本单位是页，擦除操作的基本单位是块。对flash的写入操作只能在尚未写入的空闲页上进行，并且只能按照从低地址页到高地址页的顺序进行操作，而不能写了高地址页之后，再写低地址页。如果想要修改某个已经写过的页，只能先对整个物理块进行擦除，然后才能正确写入。
2 Flash管理算法
2．1 逻辑物理地址映射
由于flash具有上述特点，因此，如果不采用逻辑物理地址映射，将会存在两个问题：其一是Flash中难免会有坏块，因而某些地址空间将是不可用的；其二，Flash读写的基本单位是页，擦除的基本单位是块，故在同一个页的两次写之间，就必须要进行一次擦除操作，而擦除会擦除掉整个块，这样，为了避免其他页的数据丢失，就得先把这些页中的数据暂存到其他地方备份起来，之后再和新数据一起重新写回到该块中，因此，整个过程会比较复杂，而且会造成速度降低。这样，一般都需要对flash加入逻辑物理地址映射管理算法，该算法的逻辑地址和物理地址的对应关系是变动的。
