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更新时间: 2023-01-08
失效模型
存储器的失效表现为单元不能被正确地写入和读出，失效模型表示引起失效的原因。设计不当、制造工艺引入的缺陷和硅片上的点缺陷都会引起存储器的失效。失效使电路的结构发生变化，通过模拟分析出电路失效行为，上升到功能级，总结出功能失效模型。单向双端口SRAM的失效模型可以分为单元失效，单元耦合失效，地址译码失效，同时读写失效和复合失效。
单个存储单元失效
固定0/1失效(SAF)，单元存储值固定为0/1。固定开路失效(SOF)，单元不能被读写，由于输出线与，读出数据为固定值。转换失效(TF)，单元存储值不能由0变为1，或由1变为0。
存储单元间的失效
对一个单元的读写操作改变了另一单元存储值，称为耦合失效(CF)，两个单元分别被称为耦合单元和被耦合单元。相邻单元，同一行和同一列单元更易于发生耦合失效。由于读写是基于字的操作，耦合失效又可以分为字间耦合失效和字内耦合失效。
地址译码失效
地址译码失效(AF)包括了四种情况：1.对某一地址，没有单元被存取；2.对某一单元，没有地址可以对其存取；3.对某一地址，多个单元被同时存取；4.对某一单元，同时被多个地址存取。由这四种失效子模式组合引起的失效可以等效成固定0/1
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