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更新时间: 2023-01-15
提高百倍的平均每字节写入速度
M29EW闪存，有两种写入方式。一种是字写入方式（Wordprogram），每次可对单个或者两个字节进行写入。另一种是缓存写入方式（Bufferprogram），根据选择的写入缓冲区大小，每次可对1~1024个字节进行写入。字写入方式具有较高的灵活性，可以对任意单个地址空间进行写入操作，但写入时间较长，在需要对连续地址空间进行写入时，写入效率较低。缓存写入方式，不但同样具备单字节或双字节写入能力，**多还可以一次性写入连续的1024字节的地址空间。本文选取了M29EW系列中的128MB产品，重点对缓存写入方式进行分析。使用不同的写入缓冲区大小对连续地址空间进行写入，发现，采用大的写入缓冲区单次写入时间较长。在-40C的环境温度下，用2字节写入缓冲区大小写入2字节的连续地址空间大概需要200us，在相同测试条件，用1024字节的写入缓冲区对1024字节连续地址空间进行写入大概需要近700us。
