1785L80C15

更新时间: 2023-01-15

HCS08系列MCU是HC08系列的升级，具有更高的总线频率和更低的工作电压。QG8总线频率可以达到10MHz，工作电压可以低至1．8V，尤其是QG系列MCU采用了新型的Flash存储器(HCS08系列MCU的典型型号为MC9S08GB／GT系列MCU，Flash编程擦除可使用2．7V电压，QG系列MCU工作在1．8V时即可以对Flash进行操作)。同时低功耗也是QG系列MCU的一大特点。通过降低主频，在总线频率为1MHz、供电电压2V、温度125℃的情况下正常工作，典型的芯片电流仅有370μA。而如果进入待机模式，典型的芯片电流则低于1μA，这些特点使得QG8非常适合使用在电池供电的设备中。

    EEPROM是Flash存储技术成熟之前常用的存储器，它与Flash均可作为程序存储器和数据存储器。但由于EEPROM本身容量和成本的限制，目前大多数MCU都采用Flash作为存储器。用户可以在Flash中存储设置参数、校准参数、保密数据等信息。由于Flash存储区的**小擦除单位是页(QG8一页为512字节)，若存储数据长度小于一页，则每次写入或修改数据都必须进行一次页擦除操作，该页中没有用到的空间就浪费了。相对而言，EEPROM就不存在这个问题，它可以基于字节进行写入和擦除。部分HC08系列MCU(如MC68HC908JL8)为了解决这个问题，在其监控ROM中提供了虚拟EEP一ROM的例程供用户使用。但是QG8不具有监控ROM，也就无法提供类似的功能，本文在QG8擦除／写入Flash的基础上，给出虚拟EEPROM的实现机制和用户接口，实现按字节“写”Flash存储区的功能，提高Flash存储器的使用效率及寿命。