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更新时间: 2023-01-15

单片机的EEPROM虚拟技术

1设计思路

    使用Flash模拟EEPROM实现按字节读写，其思路是将Flash的一页依据写入数据的长度分为若干相等的部分。为了方便起见，每一部分称为一块，假设划分为N块。在写入前，此页Flash已擦除完毕，第1次写入时将数据写入第1块，当用户对数据修改后重新进行写入时，数据被写入第2块，依次类推，如果进行第N+1次写入，由于该页**多划分为N块，则先执行页擦除，然后将数据写入第1块中。读操作相对于写入操作要简单得多，因为Flash本身支持按字节读操作。

    上述操作是在底层实现的，对于上层开发人员是透明的，上层开发人员只需要调用接口函数EEE_PROG和EEE_READ即可。

    2具体实现

    虚拟EEPROM功能的实现以Flash的擦除／写入为基础。Flash页中包含2部分，一部分是虚拟EEPROM的参数和状态信息，称之为信息区，另外一部分是实际用来存储数据的存储区。信息区中包含EEPROM首次写入的数据长度和控制写入的位置信息；存储区根据数据长度可以划分为N个Flash块，写入第x个块时(x≤N)，同时修改信息区的位置信息。进行擦除和写入操作时分别将Flash操作代码放置于RAM中运行。

    2．1FIash擦除／写入的实现

    由于HCS08系列MCU中没有固化ROM，因此也就不具有HC08系列固化的虚拟EEPROM函数或Flash擦除／写入函数，而直接在Flash中执行同一Flash区的操作会引起不稳定的情况。所以借鉴MC68HC908G**2芯片在线编程系统功能的实现机制，将Flash的擦除和写入函数先进行编译，将编译后的二进制代码文件(即S19文件)写入Flash区域。在调用该函数时，先将代码复制到RAM区，然后调用并在RAM区的入口执行相应的Flash操作。为了减少代码量，使用同一函数实现了擦除和写入功能。