更新时间: 2023-01-15
正确选择闪存写入缓冲区大小,优化擦写速度
在各种电子技术快速发展和电子市场高速扩大的今天,存储器的需求量迅猛增长。在众多存储器类型中,NOR型闪存由于具有随机读写速度快,可靠性能高等优点,被广泛的应用于各种电子设备,如移动产品,汽车电子等。从1988年发展至今,NOR型闪存技术紧跟市场发展需求也在不断地进步更新,不仅容量日益增大,可靠性能越来越高,随机读写速度也越来越快。随着各种电子设备的系统功能复杂化,对存储器进行频繁读写成了**基本的操作,读写速度在实际应用中成为衡量NOR型闪存越来越重要的性能指标。
随机读取,擦除(使存储内容从0变1),和写入(使存储内容从1变0)是对闪存的三种基本操作。任何闪存器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。随着工艺和电路设计上的提高,NOR型闪存的随机读取速度基本在百ns以内(如Numonyx的主要产品系列均在110ns以内),而同步读取速度**高可达333MHz(如Numonyx某具有LPDDR接口的NOR型闪存);
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