厦门阿米控技术有限公司
赫斯曼RH1-TP/FL
发布时间：2023-05-21
散热计算：
高压变频器在正常工作时，热量来源主要是隔离变压器、电抗器、功率单元、控制系统等，其中作为主电路电子开关的功率器件的散热、功率单元的散热设计及功率柜的散热与通风设计**为重要。对IGBT或IGCT功率器件来说，其pn结不得超过125℃，封装外壳为85℃。有研究表明，元器件温度波动超过±20℃，其失效率会增大8倍。
散热设计注意事项：
(1)选用耐热性和热稳定性好的元器件和材料，以提高其允许的工作温度；
(2)减小设备(器件)内部的发热量。为此，应多选用微功耗器件，如低耗损型IGBT,并在电路设计中尽量减少发热元器件的数量，同时要优化器件的开关频率以减少发热量；
(3)采用适当的散热方式与用适当的冷却方法，降低环境温度，加快散热速度。
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