5MHz以上：

    以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。

    对于外壳接地的，在地**用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用;可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔，铜箔闭环。处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。

    对于20M-30MHz：

    1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置；

    2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值；

    3.在变压器外面包铜箔；变压器**里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。

    4.改变PCBLayout；

    5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；

    6.在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数；7.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE；8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。9.可以用增大MOS驱动电阻。