30M-50MHz： 普遍是MOS管高速开通关断引起，可以用增大MOS驱动电阻，RCD缓冲电路采用1N4007慢管，VCC供电电压用1N4007慢管来解决。 2.RCD缓冲电路采用1N4007慢管； 3.VCC供电电压用1N4007慢管来解决； 4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感； 5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路； 6.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE； 7.在变压器的输入电压脚加一个小电容； 8.PCBLAYOUT时大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可能的小； 9.变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。 50M-100MHZ： 普遍是输出整流管反向恢复电流引起， 1.可以在整流管上串磁珠； 2.调整输出整流管的吸收电路参数； 3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗，如PIN脚处加BEADCORE或串接适当的电阻； 4.也可改变MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射（如铁夹卡MOSFET;铁夹卡DIODE，改变散热器的接地点）。5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射。