安全气囊应用中**常选用带有串行外设接口 (SPI) 的5V工作电压FRAM存储器。这些器件可以在很高的总线接口速度下进行写操作，具有超过1万亿次 (1后面12个零！) 的擦写次数，足以让智能安全气囊连续写入，以提供无缝的乘客数据记录。串行速度可以从5MHz 到 20MHz间的FRAM 且无延迟写操作能够让主处理器尽可能快地存储数据，几乎没有信息丢失的风险。FRAM具备的非易失性特点、无限的擦写次数，以及快速数据写入能力，是下一代安全气囊系统的理想存储器。　　以前汽车应用中所用的主要非易失性存储技术是浮栅器件，如EEprom或闪存。浮栅器件通过一层SiO2薄膜把多晶硅栅与沟道隔离开来。要对器件进行编程，需在控制栅上产生很高的电压，使得电子可获得足够的动能，穿透隔离层，将电子 (N沟道器件) 加速到源极。floating-gate　　沟道中形成了一个耗尽区，这样，在特定的栅极电压下，已被编程的部分被置于“off (较高阻抗)”，而没有被编程或没有被擦写的器件为“on (较低阻抗)”。　　随着汽车设计要求的复杂性日益增加，浮栅存储技术的局限性越来越明显。例如，它的编程处理需要数毫秒ms时间