1 引言　　FPGA凭借其方便灵活、可重复编程等优点而日益被广泛应用；闪速存储器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等优点，在众多领域中也获得了广泛应用。在现代数字电路设计中。经常需要保存大量数据，而Flash存储速度快、体积小、功耗低且价格低廉，可在线电擦写，信息在掉电后不会丢失，因此成为设计人员的**。　　2 M25P80的介绍　　Flash是一种具有电可擦除的可编程ROM，可以分为两大类：并行Flash和串行Flash。并行Flash存储量大，速度快；而串行Flash存储量相对较小，但体积小，连线简单，可减小电路面积，节约成本，二者各有其优缺点，可依据实际需要选取。本文开发的系统对速度的要求不是很高，而对电路板的面积要求则较为苛刻，因此系统设计选用了串行FlashM25P80。　　M25P80是意法半导体推出的一款高速8 Mbit串行Flash，共由16部分组成，每一部分有256页，每页有256个字节。M25P80具有先进的写保护机制，读取数据的**时钟速率为40 MHz。M25P80的工作电压范围为2.7 V～3.6 V，具有整体擦除和扇区擦除、灵活的页