1为了解决高速的数据采集和低速的Flash访问速度之间的矛盾，采取将数据流串并转换，复制多个操作模块并行处理的设计方法。通过利用FPGA内部的存储区实现4个双口RAM作为缓冲区。每条外部Flash总线用一个双口RAM，采集到的数据分时加载到4个RAM中，然后再写入Flash。写入Flash的操作以流水方式进行，具体方式如图3所示。首先，外部A／D采样通道写数据到RAM1。当RAM1写满时，加载数据到**组Flash数据寄存器，加载完成后**组Flash进入自动编程阶段；当RAM2写满时，第2组Flash加载开始，数据加载完成后，进入自动编程阶段。依次加载RAM3，当RAM4写满，第4组Flash开始加载后，FPGA内部控制重新写RAM1，开始对第5组Flash操作，然后依此循环方式对第6～16组Flash进行操作；当第16组数据加载完成后，第1组Flash已经编程结束，接着从第1组Flash开始加载和编程。可看出向16组Flash写入数据是并行的，通过并行写操作，可存储高速采集的数据。 16组Flash的流水操作方式示意图 2 FPGA内部设计大体可划分为PCI9054操控部分和数据