正确选择闪存写入缓冲区大小，优化擦写速度

在各种电子技术快速发展和电子市场高速扩大的今天，存储器的需求量迅猛增长。在众多存储器类型中，NOR型闪存由于具有随机读写速度快，可靠性能高等优点，被广泛的应用于各种电子设备，如移动产品，汽车电子等。从1988年发展至今，NOR型闪存技术紧跟市场发展需求也在不断地进步更新，不仅容量日益增大，可靠性能越来越高，随机读写速度也越来越快。随着各种电子设备的系统功能复杂化，对存储器进行频繁读写成了**基本的操作，读写速度在实际应用中成为衡量NOR型闪存越来越重要的性能指标。

随机读取，擦除（使存储内容从０变１），和写入（使存储内容从１变０）是对闪存的三种基本操作。任何闪存器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。随着工艺和电路设计上的提高，NOR型闪存的随机读取速度基本在百ns以内（如Numonyx的主要产品系列均在110ns以内），而同步读取速度**高可达333MHz（如Numonyx某具有LPDDR接口的NOR型闪存）；