功率 强大的编译器加之先进的电路设计，可极大地降低动态功耗（CV2f），并可通过利用多芯片组、先进的计时方法、偏置方法、晶体管Leff特征控制以及多重供应电压（VT）优化等技术**限度地降低泄露功率。设计师可综合运用这些存储器技术，通过电压和频率的调整以及多电源域的利用，得到最理想的结果。 速度 为获得**的存储器性能，先进设计技术的充分利用至关重要。设计师可利用存储器编译器对速度（比如存取时间或循环时间）、空间、动态功耗以及静态功耗（泄露功率）等因素进行权衡，得到所需要的**组合。在通过多种VT技术、多芯片组以及多种存储单元等的综合选用，改进存储器块的同时，辅以节能设计技术，同样可以获得较高速度。 可靠性与良率 晶体管体积和能耗的大幅下降，虽然使噪声容限明显减小，但也对极深亚微米芯片的可靠性带来了影响。因此，为提高良率，改善运行的可靠性，需采用ECC和冗余技术。 由于现在SoC的位元数已十分庞大，因此，嵌入式存储器便成为了决定SoC良率的最重要因素。在提高存储器良率方面，由于可减少批量生产时间，控制测试与修复成本，因此专有测试与修复资源具有重要作用。采用一次可编程存储技术