为了使MCU具有亚u**的功耗模式，许多供应商引入了新的低功耗深度休眠模式。典型的深度休眠电流在10至50nA的范围内，这些器件运行实时时钟日历（RTCC）时会增加400nA的电流。通过关闭整个器件而仅保留少量存储器、实时时钟（或许还有看门狗定时器），可实现极低电流。但是，这些深度休眠模式不允许外设运行或保持器件上的数据RAM。当器件从深度休眠中唤醒时，如果RAM内容丢失，则器件需要执行重启例程，然后才能恢复程序执行。

新的低功耗模式（如低电压休眠模式）能以典型值为330nA的基电流保持器件的数据RAM，并允许运行额外的低功耗外设。此低电压休眠模式会保持器件的RAM，并通过减少器件的片上稳压器输出来降低休眠电流。通过降低送入器件逻辑的电源电压并限制工作外设，MCU的休眠电流可从3.7uA降至330nA。在这种类型的MCU休眠模式下，LCD驱动器、定时器和RTCC等外设仍可运行，且仅增加极小的电流。器件从低电压休眠模式恢复到工作状态的时间不到从深度休眠唤醒的时间的一半。器件随后从下一条指令开始执行，而不是深度休眠模式唤醒通常需要的从重启序列开始。