FRAM的优势 与基于闪存的传统系统相比，FRAM可提供优异的保留性与耐用性。采用闪存，数据按晶体管充电状态存储（如开或关）。写入闪存时，必须先擦除相应的块然后再写入。这个过程可对闪存造成物理损坏，**终导致晶体管无法可靠保持电荷。 确保闪存的**长使用寿命，通常部署损耗平衡等技术在各个块上平摊使用量，以避免某些常用块过早损坏。进而需要评估闪存系统可靠性，是因为闪存的耐用性规范反映的是平均故障率，每个具体块的耐用性有高有低。此外，保留的可靠性会随耐用性极限的接近而下降，因为保留是根据每个存储器元素的磨损进行统计的。 基于FRAM的MCU为低功耗应用提高安全性 相比之下，FRAM将数据按分子极化状态存储。由于该过程为非破坏性，因此FRAM具有几乎无限期的保留性与耐用性。对必须在整个设备使用寿命期间执行20,000至40,000次交易的移动支付系统等应用而言，FRAM无需考虑耐用性与可靠性问题。 此外，FRAM的高耐用性也关系到某些应用的安全性。例如，要提高通信安全性，每次新传输都需要生成新密钥。这种方法必须考虑闪存和EEPROM的耐用性问题。使用FRAM就无需考虑密钥改变频次对