1．2 NAND flash结构　　不同厂商不同型号的flash的结构都大同小异，图l所示是三星K9G8G08UOA型号的flash结构图，图l中的1个flash芯片包含4096个物理块(block)，每个物理块含有128个页(page)，每个页包含2112(2048+64)字节其中多出的64字节用于存放纠错码及其他信息用。　　1．3 NAND flash的特点　　Flash可支持读(Read)操作、写(Program)操作和擦除(Erase)操作。其中读操作和写操作的基本单位是页，擦除操作的基本单位是块。对flash的写入操作只能在尚未写入的空闲页上进行，并且只能按照从低地址页到高地址页的顺序进行操作，而不能写了高地址页之后，再写低地址页。如果想要修改某个已经写过的页，只能先对整个物理块进行擦除，然后才能正确写入。　　2 Flash管理算法　　2．1 逻辑物理地址映射　　由于flash具有上述特点，因此，如果不采用逻辑物理地址映射，将会存在两个问题：其一是Flash中难免会有坏块，因而某些地址空间将是不可用的；其二，Flash读写的基本单位是页，擦除的基本单位是块，故在同一个页的两