正确选择闪存写入缓冲区大小，优化擦写速度 采用大的写入缓冲区一次写入操作可以对更多的地址空间进行操作。这样平均到每字节所需的平均写入时间，反而是采用大的写入缓冲区时间短，如图1所示。图1中的两条线分别表示-40C和85C的使用环境温度，横坐标表示采用的写入缓冲区大小，纵坐标是平均每字节的写入时间，为方便结果比较，纵坐标采用了对数坐标。由图可得，同样在-40C的环境温度下，用2字节的写入缓冲区大小每字节的平均写入时间大约是100us，而采用64字节的写入缓冲区大小，平均每字节的写入时间就减少到10us以下，如果采用1024字节的写入缓冲区大小，平均每字节所需的写入时间已经低于1us！需要说明的是，所要写入的数据不同也会对写入时间造成较大的影响，为方便比较，本文对各种写入操作采用相同的写入内容，这里测试的结果重点也放在采用不同缓冲区大小的速度相对值的比较上，而不是绝对值。 采用不同写入缓冲区大小写入与平均每字节写入时间的关系 图1.采用不同写入缓冲区大小写入与平均每字节写入时间的关系 由于采用大的写入缓冲区可以提高单字节的写入速度，因此当工程师进行大块字节的擦写操作时，采用尽可能大