铁电存储器FRAM与其他内存的比较：FRAM是一种非易失性存储器，因为它结合了ram和非易失性存储器的优点。相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在断电情况下存储数据。具有高读写耐久性和快速写入速度。英尚微存储芯片供应商可提供产品测试及技术支持。功能比较FRAMEEPROMFLASHSRAM内存类型非挥发性非挥发性非挥发性易挥发的写法覆盖擦除 + 写入擦除 + 写入覆盖写周期时间150ns5ms10μs55ns读/写周期1013106105无限升压电路NoYesYesNo数据备份电池NoNoNoYes串行FRAM与EEPROM/闪存与传统的非易失性存储器如EEPROM和Flash相比，FRAM具有写入速度更快、耐用性更高和功耗更低的优势。使用FRAM代替EEPROM和Flash更有优势；性能改进由于写入速度快，即使在突然断电的情况下，铁电存储器也能以写入方式存储数据。不仅如此，FRAM可以比EEPROM和Flash存储器更频繁地记录数据。写入数据时，EEPROM和闪存需要高电压，因此比FRAM消耗更多功率。因此，通过使用FRAM，可以延长电池供电的小型设备的电池寿命。