MOSFET的主要特性参数　　“MOSFET”是英文 MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor 的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2 或 SiN)及半导体三种材料制成的器件　　MOSFET的主要参数有ID,IDM，VGS,V(BR)DSS,RDS(on) ,VGS(th)等　　1、ID：**漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的**电流。场效应管的工作电流不应超过ID。此参数会随结温度的上升而有所减额。　　2、IDM：**脉冲漏源电流。此参数会随结温度的上升而有所减额。　　3、VGS：**栅源电压。　　4、V(BR)DSS：漏源击穿电压。是指栅源电压VGS为0时，场效应管正常工作所能承受的**漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于V(BR)DSS。它具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。　　5、RDS(on)：在特定的VGS(一般为10V)、结温及漏极电流的条件下，MOSFET导通时漏源间的**阻抗。它是一个非常重要的参数，决定了MOSF