更新时间: 2024-05-30
但是硅基材料在PIC中应用时却有3个致命的缺点:一是激光发射效率很低,硅基激光器非常难以实现;二是硅基材料不能够检测到1310nm和1550nm波长的光,而这两个波段正是光通信所采用的波段;三是由于硅基材料本身的限制,无法实现电光调制。虽然有很多的研究机构一直致力于硅基有源光器件的研究,并力争有所突破,Intel等研究机构也取得了令人瞩目的研究成果,硅基材料主要应用于无源PIC(如阵列波导光栅(AWG)等),采用硅基材料的混合集成大规模PIC已经取得一定进展。其次是铌酸锂晶体,铌酸锂晶体主要用于制作高性能的电光调制器,其调制带宽高,调制线性度好,受到了广泛应用。但是铌酸锂晶体不能实现激光激射,也不能作为光探测器,同时,其加工处理工艺也非常复杂,因此对于大规模PIC来说,铌酸锂晶体并没有实际应用的价值。虽然有源光电器件能够在砷化镓材料中实现,但是砷化镓材料的本征带隙决定了它只能够在波长为850nm的范围内工作,因此,采用砷化镓材料的有源光器件仅适用于局域网,对于长距离、大容量的WDM传输系统来说,其应用受到很大限制GLENTEK SMB9815-000-000-1A-1B&W 1
上一篇:1756SC-IF8U
下一篇:3500/50M