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更新时间: 2023-10-31
DRAM控制器完整的VHDL语言的源代码可Email给cnhsx@sina.com索取。
DRAM控制器的状态图如图4所示，状态机A和B的起始条件分别是A0和B0。状态机A初始化DRAM控制器的序列，状态机B终止该序列。
DRAM控制器的状态图
在T2的下降沿，RAS逻辑采样状态机A的状态，锁存的地址线和总经状态信号。如果状态机A在A1状态（存储器读、写或刷新周期）并且总线周期为DRAM使用，则XC95C36插入RAS信号。
在T2的上升沿，状态机A也采样锁存的地址线。如果总线周期被DRAM占用，状态机A将从状态A1转移到A2，否则状态机A转换到A3。至此控制转移到状态机B。MUX逻辑采样RAS和BHE引脚的状态。如果RAS有效（指示DRAM在访问），并且总线周期下是刷新周期，XC95C36将插入MUX。MUX在行列地址之间切换，以便进行DRAM的读写操作。
在T3的下降沿，状态机B采样状态机A。如果状态机A处于状态A2（DRAM访问）或状态A3（存储器读或写，但不是DRAM访问），状态机B从状态B0转到B1。如果总线周期是一个DRAM访问周期，XC95C36继续保持RAS有效。CAS逻辑采样MUX的状态、锁存地址A0、BHE和总线周期状态。如果MUX有效（指示DRAM读或写），并且访问低字节，则XC95C36插入LCAS；如果MUX有效，并且微处理器访问高字节，XC95C36插入UCAS。DRAM读访问和DRAM刷新访问不同之处在于：对刷新来说，不需要MUX、UCAS和LCAS。
