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更新时间: 2023-01-15
正确选择闪存写入缓冲区大小，优化擦写速度
对NOR型闪存进行擦除一般是以64K~128KB的块为整体进行的，通常执行一个擦除操作的时间约为0.2~4s；对NOR型闪存的写入可以按照缓冲区大小，双字节甚至比特操作，其中按比特写入可使任一比特由1变成0，NOR的写入速度除了与产品工艺和设计有关外，还与写入缓冲区容量有着密切关系。目前，市场上的闪存产品主要都采用不高于64字节的写入缓冲区容量，例如常见的S29GL和SSF29产品系列等。64字节的写入缓冲区容量意味着一次写入操作**能写入的地址空间范围为64字节。在实际应用中，工程师总是希望存储器具有较快的写入速度，但往往容易忽略缓冲区大小和写入速度的关系。**近，Numonyx公司开发推出了基于65nm技术，**高可达1024字节写入缓冲区容量的NOR型M29EW闪存。本文对此产品的写入缓冲区大小与写速度的关系进行了详细分析。推荐工程师在实际应用中，可以通过选择合适的尽可能大的写入缓冲区大小，**可能的优化擦写速度。
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