让IGBT、SiC和GaN器件更可靠的是什么？近年来，大功率电力变换器/逆变器市场需求的增长率每年超过5%。到2020年，全球市场容量预计将达到500亿美元。 作为系统中**主流的功率器件，IGBT占到了其中的80%，市场容量约40亿美元。IGBT广泛应用于工业控制、电信、轨道交通、可再生能源、汽车电子、智能电网等多个行业。随着汽车电子光伏逆变器行业的革命和快速发展，SiC MOSFET、GaN晶体管等新兴功率器件凭借着高工作频率，卓越温度性能，高功率密度，成本合理的优点，其市场容量在2020年预计将达到10亿美元。 在功率器件的研制过程中，其控制方式通常是相同的，即采用驱动电路对其进行管理。许多工程师都知道，但还没意识到DC/DC电源对驱动电路的重要性。下面我们将介绍它的主要特性。隔离电容/瞬态负载响应 众所周知，高工作频率是电源转换器的发展方向之一。因此，DC/DC电源的初级和次级之间的隔离电容应尽可能小，以适应高频应用，这使得DC/DC变压器的设计变得更为困难。目前，驱动电路的DC/DC电源的隔离电容在3-10pF之间。 在功率方面，100A IGBT需要DC/DC电源提供约3.