国际市场供应链已基本成熟，但随着新能源等市场需求增长，市场链条正逐步演化。而在国内，目前国内功率半导体产品的研发与国际大公司相比还存在很大差距，特别是IGBT等高端器件差距更加明显。核心技术均掌握在发达国家企业手中，IGBT技术集成度高的特点又导致了较高的市场集中度。 跟国内厂商相比，英飞凌、 三菱和富士电机等国际厂商占有**的市场优势。形成这种局面的原因主要是：（1）国际厂商起步早，研发投入大，形成了较高的专利壁垒。（2）国外高端制造业水平比国内要高很多，一定程度上支撑了国际厂商的技术优势。所以功率半导体产业的发展须改变目前技术处于劣势的局面，特别是要在产业链上游层面取得突破，改变目前功率器件领域封装强于芯片的现状。而技术差距从以下两个方面也有体现：（1）高铁、智能电网、新能源与高压变频器等领域所采用的IGBT模块规格在6500V以上，技术壁垒较强；（2）IGBT芯片设计制造、模块封装、失效分析、测试等IGBT产业核心技术仍掌握在发达国家企业手中。需要重点考虑的问题：IGBT技术与工艺国的功率半导体技术包括芯片设计、制造和模块封装技术目前都还处于起步阶段。功率半导体芯片技术研究一般采