厦门阿米控技术有限公司
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- ALSTOM8893-4502
法兰密封面与垫片配合解决方法垫片要能够成功的密封，必须很好的控制与垫片配合的法兰表面的缺陷程度，大的刻痕、凹槽、或者擦伤等表面缺陷都是必须避免的，因为垫片很难密...2023-04-06
- EproMMS6220
场效应管的使用注意事项（1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，**漏源电压、**栅源电压和**电流等参数的极限值。（2）各类型场效应管在...2023-04-06
- 3500/22
一、用测电阻法判别无标志的场效应管首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极S和漏极D，余下两个脚为**栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极...2023-04-06
- HIMAF2301
检测绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）好坏的简易方法1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它...2023-04-06
- 1769-PA4卡件
IGBT有三个电极，分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应...2023-04-06
- 3500/05-01-01-00-00-00
自主生产IGBT是实现新能源汽车产业链完整的**步新能源汽车区别于燃油车的三大核心器件——电机、电控和电池。关于电机，好比人体的心脏，为汽车提供动力来源，“心脏...2023-04-06
- IC693ACC307A
变压器故障原因分析经过多方面的研究和多年的经验，尽管变压器的用途种类不同、老化趋势不同，但故障的基本原因仍然相同。1、雷击对于雷击的研究比较少，因为很多时候不是...2023-04-06
- 88FN02B-EGJR2370800R0200
VMOS场效应管VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器...2023-04-06
- 厦门1756-HSC
VMOS管的注意事项：（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。（2）有少数VMOS管在G-S之...2023-04-06
- "87TS01I-EGJR2368900R2550"
电网中的谐波主要是由各种大容量功率变换器以及其他非线性负载产生的，其中主要的谐波源是各种电力电子装置，如整流装置、交流调压装置等，这其中，整流装置所占的比例大，...2023-04-06
- EPRO"MMS6210"
本公司提供：全系列PLC模块和工业触摸屏，变频软启动.法国施耐德Modicon Quantum昆腾系列PLC模块.具体实物价格请致电咨询！感谢您的配合，相信我们...2023-04-06
- HE693CBL150
开发者一般在实际设计中都是使用IGBT模块应用到实际产品中，所以简略对这个介绍一下。IGBT模块按封装工艺来看主要可分为焊接式与压接式两类。高压IGBT模块一般...2023-04-05
- 86002249Z-OB
什么是IGBT说起。所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件...2023-04-05
- 51306733-175
HCPL-316J驱动电路1.HCPL-316J内部结构及工作原理若IGBT出现过流信号(脚14检测到IGBT集电极上电压=7V)，而输入驱动信号继续加在脚1，...2023-04-05
- MURR857833
IGBT驱动电路要求在设计IGBT驱动时必须注意以下几点。1)栅极正向驱动电压的大小将对电路性能产生重要影响，必须正确选择。当正向驱动电压增大时，.IGBT的导...2023-04-05
- PARKER+CPX2500S
IGBT电力电子装置的应用详解IGBT在以变频器及各类电源为代表的电力电子装置中得到了广泛应用。IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体，具有电...2023-04-05
- TRICONEX9753-110
MOSFET的主要特性参数 “MOSFET”是英文 MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor 的缩写，译...2023-04-05
- 3500/50-01-00-01
电容的主要特性参数 电容的主要参数有电容容值，允许误差，额定工作电压，温度系数等 1、容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的**偏差范围，一般分为±5%...2023-04-05
