新材料有望实现更高的性能、更高的能效和更高的可靠性。具体地说，碳化硅(SiC)是未来的材料。SiC功率电子器件比类似的硅器件具有更低的传导和开关损耗。过渡的**阶段涉及低级二极管，如图1所示，该二极管反向并联连接至IGBT。将硅二极管替换为SiC二极管可降低损耗并减少开关期间的过冲，从而减少了逆变器上的应力。尽管SiC二极管比硅二极管更昂贵，但较小的散热器和系统尺寸可降低整体系统成本。

　　SiCMOSFET是过渡的下一阶段。SiCMOSFET的开关速度比硅IGBT快得多，因此它们用于太阳能发电系统的升压级带来更大的优势。通常，使用DC-DC转换器增加太阳能电池板的输出电压。SiCMOSFET可更快地开关，因而减小了升压级中昂贵的无源器件如电感器的尺寸，并提高了效率。

SEW EURODRIVE Frequenzumricht?er Movitrac MC07B0110-5A3

ZIEHL-ABEGG Radialventilato?r RH31M-2DK.3I.2R 

Eupec IGBT-Modul FZ900R12KF5

Simatic S7-300 SM331 6ES7 331-7HF01-0AB0

SEW EURODRIVE MOVIFIT Anschlussbox MTA11A-503-I653?-D01

SEW EURODRIVE MOVIAXIS Mastermodul MXM80A-000-000-?00/UF

INDRAMAT Servomotor MAC090B-0-ND-2-?C/130-A-1/S012

INDRAMAT Servomotor MAC63C-0-HS-3-C?/95-B-1/S001

Siemens AC-VSA-Motor 1FT5032-0AF01-1?-Z

Siemens Simatic NET CP 342-5 6GK7 342-5DA03-0XE0