厦门阿米控技术有限公司
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- 1336PBSP14C
1）用相电压矢量图画出Y/△接法的接线图 首先画出原边三相相电压矢量A、B、C，以原边A相相电压为基准，顺时针旋转到所要求的联接组。 Y/△-11的联接组...2023-11-01
- 1336SB010ANEN
经小电阻接地系统中，由于电阻的限流作用，单相接地故障电流相比于直接接地系统有明显下降，会减轻对配电网及设备的危害程度，但仍然需要立即切断故障线路，从而造成供电中...2023-11-01
- 1336SBRF10AAENHAPL6
1前言 TMS320F28xxDSP片内有128K×16bit字的FLASH、两块4Kx16bit字的单周期访问RAM(SARAM)LO和L1、一块8Kxl6...2023-11-01
- 1336SEN5 4233622151
1 IDT72V3680功能特点 IDT72V3680属于IDT公司的高密度supersyncTMⅡ36位系列存储器IDT72V3640～3690中的一种，其...2023-11-01
- 1336TGTBSP1B 7410301551
如果微控制器既利用内部存储器也利用外部存储器，则内部存储器通常被用来存储不常改变的代码，而外部存储器用于存储更新比较频繁的代码和数据。设计工程师也需要考虑存储器...2023-11-01
- 1336TPLCCEE
过电流保护： 按下列两种情况整定，取较大值。 ①按躲过线路**负荷电流整定。随着调度自动化水平的提高，精确掌握每条线路的**负荷电流成为可能，也变得方便。此...2023-11-01
- 1336TLM1EN
2．引导存储器 在较大的微控制器系统或基于处理器的系统中，设计工程师可以利用引导代码进行初始化。应用本身通常决定了是否需要引导代码，以及是否需要专门的引导存储...2023-11-01
- 1336SMCBSPI 7410007151
FIFO芯片是一种具有存储功能的高速逻辑芯片，可在高速数字系统中用作数据缓存。FIFO通常利用双口RAM和读写地址产生模块来实现其功能。FIFO的接口信号包括异...2023-11-01
- 1336TPLCCEE 7410083301
2．2 两级地址映射 为了减少更新数据时原有数据的搬移，提高写操作的速度，本文提出了采用两级地址映射的机制，也就是在块级别逻辑物理地址映射的基础上引入页级别上...2023-11-01
- 1336TPLCCEE 7410150051
2．3 SPARE区和ECC校验 Flash中每个页里的每个字节都是没有任何差别的，物理上并没有data区和spare区的区别，具体怎样划分data区和spa...2023-11-01
- 1336TGTBSP1A 7410150051
1．2 NAND flash结构 不同厂商不同型号的flash的结构都大同小异，图l所示是三星K9G8G08UOA型号的flash结构图，图l中的1个flas...2023-11-01
- 1336SEN4 4233622151
3.1 写使能指令 页面编程时，在写寄存器或者擦除之前，必须先使用写使能指令设置寄存器的写使能位。在上电或写使能无效指令操作，以及页面编程、写寄存器及擦除指令...2023-11-01
- 1336SEN4 4233622451
1 引言 FPGA凭借其方便灵活、可重复编程等优点而日益被广泛应用；闪速存储器(Flash Memory)以其集成度高、成本低、使用方便等优点，在众多领域中也...2023-11-01
- 1336TSP5A
工业领域的同仁们都知道变频器应用非常广泛，因为变频器的作用非常大。电工论坛小编现在就变频器的作用做一个简单的介绍。 变频器的作用可以降低电力线路电压波动，因为...2023-11-01
- 1336TGT1S**4B
EEPROM与FRAM EEPROM和FRAM的设计参数类似，但FRAM的可读写次数非常高且写入速度较快。然而通常情况下，用户仍会选择EEPROM而不是FRA...2023-11-01
- 1336TGTBSP1A 7410083301
三相四线进户地线怎么接？电力局电线进入配电箱只有4根线，也就是传统的三相四线，为保证安全，需要自己安装接地线。按要求是要安装家庭地线，**是建房时考虑进去，把地...2023-11-01
- 1336TLM1EN
EEPROM与闪存 存储器技术的成熟使得RAM和ROM之间的界限变得很模糊，如今有一些类型的存储器(如EEPROM和闪存)组合了两者的特性。这些器件像RAM一...2023-11-01
- 7410301552A
1、10kV配电线路的特点 10kV配电线路结构特点是一致性差，如有的为用户专线，只接带一、二个用户，类似于输电线路；有的呈放射状，几十台甚至上百台变压器T接...2023-11-01
