厦门阿米控技术有限公司
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电压不平衡百分数计算方法为,相电压与三相电压平均值的**偏差值与三相电压平均值比值.例如，标称380V三相电源，在压缩机接线端测量的电压分别为380V,366V...2023-10-29
- VV11VV11
EEPROM与闪存 存储器技术的成熟使得RAM和ROM之间的界限变得很模糊，如今有一些类型的存储器(如EEPROM和闪存)组合了两者的特性。这些器件像RA...2023-10-26
- XO08R1XOO8R1B041SBP260101R1001
选择存储器时应遵循的基本原则 内部存储器与外部存储器 一般情况下，当确定了存储程序代码和数据所需要的存储空间之后，设计工程师将决定是采用内部存储器还是外部存...2023-10-26
- XN05XN05
程序存储器 所有带处理器的系统都采用程序存储器，但设计工程师必须决定这个存储器是位于处理器内部还是外部。在做出了这个决策之后，设计工程师才能进一步确定存储器的...2023-10-26
- TC5203BSE001449R1
在许多基于DSP的系统设计中，程序代码总是保存在ROM、Flash或其他非易失存储器中，以保证掉电时代码仍存在，因此必须要解决引导装载的问题。自举引导(Boot...2023-10-26
- YPK113A57618574A
箱式变电站（简称箱变）一般由高压室、变压器室和低压室组成。根据产品结构不同及采用元器件的不同，分为欧式箱变和美式箱变两种典型风格。 我国自70年代后期，从法国...2023-10-26
- XU03XU03
怎样采能降低控制柜内的发热量呢?当变频器安装在控制机柜中时,要考虑变频器发热值的问题。根据机柜内产生热量值的增加,要适当地增加机柜的尺寸。因此,要使控制机柜的尺...2023-10-26
- XN06XN06
2．引导存储器 在较大的微控制器系统或基于处理器的系统中，设计工程师可以利用引导代码进行初始化。应用本身通常决定了是否需要引导代码，以及是否需要专门的引导存储...2023-10-26
- XP01XP01
存储器的类型将决定整个嵌入式系统的操作和性能，因此存储器的选择一个非常重要的决策。无论系统是采用电池供电还是由市电供电，应用需求将决定存储器的类型(易失性或非易...2023-10-26
- XV371A
一般情下,同规格的电动机匹配相同规格的变频器即可满足需要.但在某些情况下,用户要按实际情况选用变频器,这样才能使您的整个系统更加安全可靠的工作. (1)NIO...2023-10-26
- XM02XM02
串行存储器和并行存储器 在定义了应用系统之后，微控制器的选择是决定选择串行或并行存储器的一个因素。对于较大的应用系统，微控制器通常没有足够大的内部存储器，这时...2023-10-26
- XN03XN03
数据存储器 与程序存储器类似，数据存储器可以位于微控制器内部，或者是外部器件，但这两种情况存在一些差别。有时微控制器内部包含SRAM(易失性)和EEPROM(...2023-10-26
- VV01VV01
EEPROM和FRAM的设计参数类似，但FRAM的可读写次数非常高且写入速度较快。然而通常情况下，用户仍会选择EEPROM而不是FRAM，其主要原因是成本(FR...2023-10-26
- YPH108BSPC
变频器谐波输出对电机的影响有：电机附加发烧使电机额外升温；产生机械振动、噪音及过电流。变频器谐波会使电力电容发生过载、过热甚至损坏电容器。当电容器与线路阻抗达到...2023-10-26
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产品结构不同、采用的元器件不同 1、美式箱变： 1）箱变的接线形式:一路或两路10KV进线； 单台变压器，容量一般选用500KVA~800KVA;低压出线...2023-10-26
- XU04XU04
如何正确的处理变频器热问题?首先必须正确认识变频器工作原理和认真地考虑变频器的散热问题。 我们知道,变频器的故障率随温度升高而成指数的上升。使用寿命随温度升高...2023-10-26
- XM03XM03
易失性和非易失性存储器 存储器可分成易失性存储器或者非易失性存储器，前者在断电后将丢失数据，而后者在断电后仍可保持数据。设计工程师有时将易失性存储器与后备电池...2023-10-26
- TC5203BSE001449R1
共享DDRSDRAM的读写访问逻辑设计 DSP提供下列信号给外部存储器用以完成外部控制：CLK，CS，A0～A15，D0～D15，R／W，MSTRB，ISTR...2023-10-26
